型号: IGT40R070D1E8220ATMA1
功能描述: GAN HV
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: CoolGaN™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 400V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: -
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1,6V @ 2,6mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 1,6V @ 2,6mA
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 382pF @ 320V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W（Tc）
工作温度: 0°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-HSOF-8-3
封装/外壳: 8-PowerSFN
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