型号: IMBF170R650M1XTMA1
功能描述: SIC MOSFET 1700V
制造商: Infineon Technologies
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: CoolSiC™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 7.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 12V，15V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 650毫欧 @ 1.5A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5.7V @ 1.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 8nC @ 12V
Vgs（最大值）: +20V， -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 422pF @ 1000V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 88W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: -55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装: PG-TO263-7
封装/外壳: TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
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