型号: IMW120R350M1H
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1200V 栅源极阈值电压：5.7V @ 1mA 漏源导通电阻：455mΩ @ 2A,18V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 1200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.7A(Tc)
栅源极阈值电压: 5.7V @ 1mA
漏源导通电阻: 455mΩ @ 2A,18V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 60W(Tc)
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：彭
Q Q:
JSD INTERNATIONAL(HK)CO.,LIMITED
联系人：钟小姐
Q Q:
联系人：纪先生，吴小姐，张先生，朱先生
电话：17788723678
Q Q:
