型号: IPB034N06N3 G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 100A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 3.4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 93µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 130nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 11000pF @ 30V
功率 - 最大值： 167W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB
供应商器件封装： PG-TO263-7
其它名称： IPB034N06N3 G-NDIPB034N06N3 GTRIPB034N06N3GATMA1SP000397990
联系人：蔡经理，张小姐
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Q Q:
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电话：17318082080
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联系人：余先生，张先生
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Q Q:
