型号:  IPB081N06L3GATMA1

功能描述:  Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB081N06L3GATMA1, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 34µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  29nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  4900pF @ 30V

功率耗散（最大值）：  79W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  8.1 毫欧 @ 50A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  D²PAK（TO-263AB）

封装/外壳：  PG-TO263-3

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  4.5V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  30V

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  50 A

最大漏源电压：  60 V

最大漏源电阻值：  0.0081 0hms

最大栅阈值电压：  2.2V

最小栅阈值电压：  1.2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  D2PAK (TO-263)

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  79 W

高度：  4.57mm

每片芯片元件数目：  1

尺寸：  10.31 x 9.45 x 4.57mm

宽度：  9.45mm

系列：  OptiMOS 3

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  22 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：  3700 pF @ 30 V

典型关断延迟时间：  37 ns

典型接通延迟时间：  15 ns

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

长度：  10.31mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs