型号: IPB110N06L G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装: 1
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: OptiMOS??
包装: 剪切带(CT)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 78A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 11 毫欧 @ 78A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 94µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 79nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 2700pF @ 30V
功率 - 最大值: 158W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装: PG-TO263-3
其它名称: IPB110N06LGIPB110N06LGINCT
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