型号: IPB110N06L G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 1
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 剪切带（CT）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 78A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 11 毫欧 @ 78A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 94µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 79nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2700pF @ 30V
功率 - 最大值： 158W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装： PG-TO263-3
其它名称： IPB110N06LGIPB110N06LGINCT
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