型号: IPB110P06LM
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 5.55mA 漏源导通电阻：11mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W(Tc) 类型：P沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 100A(Tc)
栅源极阈值电压: 2V @ 5.55mA
漏源导通电阻: 11mΩ @ 100A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 300W(Tc)
类型: P沟道
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