型号:  IPB120P04P4L03ATMA1

功能描述:  Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB120P04P4L03ATMA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 340µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  234nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  15000pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  136W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  3.1 毫欧 @ 100A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  D²PAK（TO-263AB）

封装/外壳：  PG-TO263-3

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  120 A

最大漏源电压：  40 V

最大漏源电阻值：  0.0052 0hms

最大栅阈值电压：  2.2V

最小栅阈值电压：  1.2V

最大栅源电压：  -16 V、+16 V

封装类型：  D2PAK (TO-263)

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  136 W

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

每片芯片元件数目：  1

长度：  10mm

高度：  4.4mm

系列：  OptiMOS P

宽度：  9.25mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  180 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  11380 pF @ -25 V

典型关断延迟时间：  85 ns

典型接通延迟时间：  21 ns

尺寸：  10 x 9.25 x 4.4mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs