型号:  IPB123N10N3GATMA1

功能描述:  Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB123N10N3GATMA1, 58 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  58A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 46µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  35nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2500pF @ 50V

功率耗散（最大值）：  94W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  12.3 毫欧 @ 46A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  D²PAK（TO-263AB）

封装/外壳：  PG-TO263-3

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  50V

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  58 A

最大漏源电压：  100 V

最大漏源电阻值：  23.5 m0hms

最大栅阈值电压：  3.5V

最小栅阈值电压：  2V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  D2PAK (TO-263)

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  94 W

典型接通延迟时间：  14 ns

典型关断延迟时间：  24 ns

典型输入电容值@Vds：  1880 pF @ 50 V

典型栅极电荷@Vgs：  26 nC @ 10 V

晶体管材料：  Si

最高工作温度：  +175 °C

高度：  4.57mm

系列：  OptiMOS 3

宽度：  9.45mm

最低工作温度：  -55 °C

长度：  10.31mm

尺寸：  10.31 x 9.45 x 4.57mm

每片芯片元件数目：  1

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs