型号: IPB16CNE8NG
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种� 10bc �: MOSFET
Id-连续漏极电流: 53 A
Vds-漏源极击穿电压: 85 V
Rds On-漏源导通电阻: 16.2 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 100 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-3
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 7 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 14 ns
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
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