型号: IPB60R360P7ATMA1
功能描述: MOSFET LOW POWER_NEW
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 9 A
Rds On-漏源导通电阻: 305 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 41 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
零件号别名: IPB60R360P7 SP001664948
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