型号:  IPD088N06N3GBTMA1

功能描述:  N-Channel 60 V 8.8 mOhm OptiMOSTM3 Power-Transistor -TO-252-3

制造商:  Infineon Technologies

系列：  OptiMOS™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  50A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 34µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  48nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3900pF @ 30V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  71W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  8.8 毫欧 @ 50A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TO252-3

封装形式Package：  DPAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  50A

漏源电压（Vdss）：  60V

供应商器件封装：  PG-TO252-3

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  30V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs