型号: IPD096N08N3G
功能描述: MOSFET N-Ch 80V 73A DPAK-2 OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 73 A
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Rds On-漏源导通电阻: 9.6 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 26 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 100 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 5 ns
正向跨导 - 最小值: 30 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 30 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 2500
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: IPD096N08N3GBTMA1 IPD096N08N3GXT SP000474196
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