型号:  IPD096N08N3G

功能描述:   MOSFET N-Ch 80V 73A DPAK-2 OptiMOS 3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

商标:  Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:  73 A

Vds-漏源极击穿电压:  80 V

Rds On-漏源导通电阻:  9.6 mOhms

晶体管极性:  N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :  20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.5 V

Qg-栅极电荷:  26 nC

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  100 W

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DPAK-3

封装:  Reel

通道模式:  Enhancement

配置:  Single

下降时间:  5 ns

正向跨导 - 最小值:  30 S

最小工作温度:  - 55 C

上升时间:  30 ns

系列:  OptiMOS 3

工厂包装数量:  2500

商标名:  OptiMOS

典型关闭延迟时间:  23 ns

典型接通延迟时间:  13 ns

零件号别名:  IPD096N08N3GBTMA1 IPD096N08N3GXT SP000474196