型号:  IPD096N08N3 G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO252-3

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  80V

Id-连续漏极电流：  73A

Rds On-漏源导通电阻：  9.6mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  3.5V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  26nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  100W

通道模式：  Enhancement

高度：  2.3mm

长度：  6.5mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  6.22mm

正向跨导 - 最小值：  30S

下降时间：  5ns

上升时间：  30ns

典型关闭延迟时间：  23ns

典型接通延迟时间：  13ns

Packing Type：  TAPE & REEL

Moisture Level：  1

RDS (on) max：  9.6mΩ

IDpuls max：  292.0A

VDS max：  80.0V

ID max：  73.0A

QG (typ @10V)：  26.0 nC

Package：  DPAK (TO-252)

Rth：  1.5 K/W

Operating Temperature min max：  -55.0 °C 175.0 °C

Budgetary Price €€/1k：  0.45

Ptot max：  100.0W

Polarity：  N

Coss：  490.0pF

Ciss：  1810.0 pF

VGS(th) min max：  2.0V 3.5V

VGS(th) (typ) min max：  2.8 V 2.0 V 3.5 V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs