IPD105N03L G规格参数_IPD105N03L G全国代理商/分销商

型号: IPD105N03L G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： IP(D,F,S,U)105N03L G
标准包装： 2,500
类别：分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装：带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 35A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 10.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 14nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 1500pF @ 15V
功率 - 最大值： 38W
安装类型：表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： PG-TO252-3
其它名称： IPD105N03LGIPD105N03LGATMA1IPD105N03LGINTRIPD105N03LGXTSP000254717SP000796910