型号: IPD12CNE8NG
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 67 A
Vds-漏源极击穿电压: 85 V
Rds On-漏源导通电阻: 12.4 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 125 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 8 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 21 ns
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：曾美禾
电话：13641488418
Q Q:
联系人：谢小泽
电话：13560880254
Q Q:
联系人：肖
电话：15012587850
Q Q:
