型号:  IPD30N03S4L09ATMA1

功能描述:  Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S4L09ATMA1, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 13µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  20nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1520pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  42W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  9 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TO252-3

封装/外壳：  PG-TO252-3

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  30 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  13.5 m0hms

最大栅阈值电压：  2.2V

最小栅阈值电压：  1V

最大栅源电压：  -16 V、+16 V

封装类型：  DPAK (TO-252)

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  42 W

高度：  2.3mm

每片芯片元件数目：  1

尺寸：  6.5 x 6.22 x 2.3mm

宽度：  6.22mm

系列：  OptiMOS T2

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  15 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  1170 pF @ 15 V

典型关断延迟时间：  12 ns

典型接通延迟时间：  3 ns

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +175 °C

长度：  6.5mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs