型号: IPD50N06S214ATMA1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压： ±20
安装： Surface Mount
包装宽度： 6.22
PCB： 2
最大功率耗散： 136000
最大漏源电压： 55
欧盟RoHS指令： Compliant
最大漏源电阻： 14.4@10V
每个芯片的元件数： 1
最低工作温度： -55
供应商封装形式： TO-252
标准包装名称： DPAK
最高工作温度： 175
渠道类型： N
包装长度： 6.5
引脚数： 3
通道模式： Enhancement
包装高度： 2.3
最大连续漏极电流： 50
标签： Tab
铅形状： Gull-wing
连续漏极电流： 50 A
栅源电压（最大值）： �20 V
功率耗散： 136 W
漏源导通电阻： 0.0144 ohm
工作温度范围： -55C to 175C
包装类型： TO-252
封装： Tape and Reel
极性： N
类型： Power MOSFET
元件数： 1
工作温度分类： Military
漏源导通电压： 55 V
弧度硬化： No
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