型号: IPD50N06S3-07
功能描述: MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 6.9mOhms
制造商: Infineon Technologies
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 55 V
闸/源击穿电压： +/- 20 V
漏极连续电流： 50 A
导通电阻： 6.9 mOhms
配置： Single
最大工作温度： + 175 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： TO-252
封装： Reel
商标： Infineon Technologies
下降时间： 73 ns
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 136 W
上升时间： 60 ns
工厂包装数量： 2500
典型关闭延迟时间： 45 ns
零件号别名： IPD50N06S307XT
ROHS： 无铅
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