型号: IPD50N06S3L-06
功能描述:
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 55 V
闸/源击穿电压: +/- 16 V
漏极连续电流: 50 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 6 m Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252
封装: Reel
下降时间: 115 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 136 W
上升时间: 57 ns
典型关闭延迟时间: 75 ns
零件号别名: IPD50N06S3L06XT
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