型号: IPD50N06S3-09
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 50 A
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 107 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 37 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 42 ns
工厂包装数量: 2500
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：董先生
电话：19924492152
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李瑞
电话：18666667513
Q Q:
联系人：SU
电话：15361663630
Q Q:
联系人：刘R
电话：13534218005
Q Q:
