型号:  IPD60R1K4C6

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  3.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 90µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  9.4nC

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  200pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  100V

功率耗散（最大值）：  28.4W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  1.4 欧姆 @ 1.1A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TO252-3

封装/外壳：  PG-TO252-3

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  600V

Id-连续漏极电流：  3.2A

Rds On-漏源导通电阻：  1.26Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2.5V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  9.4nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  28.4W

通道模式：  Enhancement

高度：  2.3mm

长度：  6.5mm

系列：  CoolMOSC6

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  6.22mm

下降时间：  20ns

上升时间：  7ns

典型关闭延迟时间：  40ns

典型接通延迟时间：  8ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs