型号:  IPD60R2K1CEAUMA1

功能描述:  N-Channel 600 V 2.1 Ohm 38 W Surface Mount CoolMOSŞ CE Power Transistor - TO-252

制造商:  Infineon Technologies

系列：  CoolMOS™ CE

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  2.3A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  3.5V @ 60µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  6.7nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  140pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  38W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  2.1 欧姆 @ 760mA，10V

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TO252-3

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  600V

连续漏极电流ID：  3.7A

漏源电压（Vdss）：  600V

供应商器件封装：  PG-TO252-3

无铅情况/RoHs：  否