型号: IPD65R1K4C6
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: PG-TO252-3
RoHS: Y
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 1Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650V
Id-连续漏极电流: 3.2A
Rds On-漏源导通电阻: 1.26Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5V
Vgs - 栅极-源极电压: 20V
Qg-栅极电荷: 10.5nC
最小工作温度: -55C
最大工作温度: +150C
配置: Single
Pd-功率耗散: 28W
通道模式: Enhancement
封装: CutTape
高度: 2.3mm
长度: 6.5mm
系列: CoolMOSC6
晶体管类型: 1N-Channel
宽度: 6.22mm
下降时间: 18.2ns
MXHTS: 85412999
上升时间: 5.9ns
典型关闭延迟时间: 33ns
典型接通延迟时间: 7.7ns
商标名: CoolMOS
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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