型号: IPD65R660CFDBTMA1
功能描述: 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
制造商: Infineon (英飞凌)
封装: REEL
极性: N-CH
漏源极电压(Vds): 650V
连续漏极电流(Ids): 6A
安装方式: Surface Mount 1000
包装方式: Reel
含铅标准: Lead Free
RoHS标准: Compliant
产品生命周期: Active
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