型号: IPG20N06S4L-11
功能描述: MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 16 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 65 W
配置: Dual
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
晶体管类型: 2 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
零件号别名: IPG20N06S4L11ATMA1 IPG2N6S4L11XT SP000705550
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