型号: IPI126N10N3GXKSA1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-262
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压： ±20
安装： Through Hole
包装宽度： 4.57(Max)
PCB： 3
最大功率耗散： 94000
最大漏源电压： 100
欧盟RoHS指令： Compliant
最大漏源电阻： 12.6@10V
每个芯片的元件数： 1
最低工作温度： -55
供应商封装形式： TO-262
标准包装名称： I2PAK
最高工作温度： 175
渠道类型： N
包装长度： 10.36(Max)
引脚数： 3
通道模式： Enhancement
包装高度： 9.45(Max)
最大连续漏极电流： 58
标签： Tab
铅形状： Through Hole
连续漏极电流： 58 A
栅源电压（最大值）： �20 V
功率耗散： 94 W
漏源导通电阻： 0.0126 ohm
工作温度范围： -55C to 175C
包装类型： TO-262
极性： N
类型： Power MOSFET
元件数： 1
工作温度分类： Military
漏源导通电压： 100 V
弧度硬化： No
联系人：Alien
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