型号: IPI26CN10NG
功能描述: MOSFET N-Ch 100V 35A I2PAK-3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 35 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 71 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: I2PAK-3
封装: Tube
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 3 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 4 ns
系列: IPI26CN10
工厂包装数量: 500
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
零件号别名: IPI26CN10NGHKSA1
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18926082802
Q Q:
联系人：骆先生
电话：13632770090
Q Q:
联系人：张德胜
电话：13751119100
Q Q:
