型号:  IPI50R250CP

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO262-3

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  550V

Id-连续漏极电流：  13A

Rds On-漏源导通电阻：  250mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  27nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  114W

高度：  9.45mm

长度：  10.2mm

系列：  CoolMOSCE

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.5mm

下降时间：  11ns

上升时间：  14nS

典型关闭延迟时间：  80nS

Packing Type：  TUBE

Moisture Level：  NA

RDS (on) max：  250.0mΩ

IDpuls max：  31.0A

VDS max：  500.0V

ID max：  13.0A

Package：  I2PAK (TO-262)

Rth：  1.1K/W

QG：  27.0nC

Budgetary Price €€/1k：  1.16

Operating Temperature min：  -55.0°C

Ptot max：  114.0W

Polarity：  N

RthJA max：  62.0K/W

VGS(th) min max：  2.5V 3.5V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs