型号: IPP048N12N3GXKSA1
功能描述: N-Channel 120 V 100 A 4.8 mO 137 nC OptiMOS 3 Power Transistor - TO-220
制造商: Infineon Technologies
系列： OptiMOS™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 100A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 230µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 182nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 12000pF @ 60V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 300W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 4.8 毫欧 @ 100A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： PG-TO220-3
封装形式Package： TO-220
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 120V
连续漏极电流ID： 100A
漏源电压（Vdss）： 120V
供应商器件封装： PG-TO220-3-1
无铅情况/RoHs： 否
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