型号:  IPP080N03L G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  18nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1900pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  47W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  8 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  PG-TO220-3-1

封装/外壳：  PG-TO220-3

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  30V

Id-连续漏极电流：  50A

Rds On-漏源导通电阻：  8mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  47W

通道模式：  Enhancement

高度：  15.65mm

长度：  10mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.4mm

下降时间：  2.8ns

上升时间：  3.6ns

典型关闭延迟时间：  18ns

典型接通延迟时间：  4.6ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs