型号:  IPS65R1K4C6

功能描述:  MOSFET N-Ch 700V 3.2A IPAK-3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-251-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  650 V

Id-连续漏极电流:  3.2 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.26 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  10.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  28 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  CoolMOS

封装:  Tube

高度:  6.22 mm

长度:  6.73 mm

系列:  CoolMOS C6

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  2.38 mm

商标:  Infineon Technologies

下降时间:  18.2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5.9 ns

工厂包装数量:  1500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  33 ns

典型接通延迟时间:  7.7 ns

零件号别名:  IPS65R1K4C6AKMA1 SP000991120

单位重量:  340 mg