型号:  IPW65R150CFDAFKSA1

功能描述:  IPW65R150CFDA Series 650 V 22.4 A 150 mOhm CoolMOS CFDA Power Transistor-TO247-3

制造商:  Infineon Technologies

系列：  汽车级，AEC-Q101，CoolMOS™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  22.4A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 900µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  86nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2340pF @ 100V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  195.3W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  150 毫欧 @ 9.3A，10V

工作温度：  -40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-247-3

封装形式Package：  TO-247

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  650V

连续漏极电流ID：  22.4A

漏源电压（Vdss）：  650V

供应商器件封装：  PG-TO247-3

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs