型号: IPW65R190C6
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳： PG-TO247-3
RoHS： Y
技术： Si
安装风格： ThroughHole
通道数量： 1Channel
晶体管极性： N-Channel
Vds-漏源极击穿电压： 650V
Id-连续漏极电流： 20.2A
Rds On-漏源导通电阻： 190mOhms
Vgs - 栅极-源极电压： 20V
Qg-栅极电荷： 73nC
最小工作温度： -55C
最大工作温度： +150C
配置： Single
Pd-功率耗散： 151W
封装： Tube
高度： 21.1mm
长度： 16.13mm
系列： CoolMOSC6
晶体管类型： 1N-Channel
宽度： 5.21mm
下降时间： 10ns
MXHTS： 85412999
上升时间： 12ns
典型关闭延迟时间： 133nS
商标名： CoolMOS
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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