型号: IRF100B202
功能描述: MOSFET TRENCH_MOSFETS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 97 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 116 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 221 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Tube
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 123 S
下降时间: 58 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 56 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
零件号别名: SP001561488
单位重量: 1.800 g
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