型号: IRF6215STRLPBF
功能描述: Single P-Channel 150 V 0.58 Ohm 66 nC 3.8 W Surface Mount Mosfet - TO-263-3
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: D2PAK
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 13A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 66nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 860pF @ 25V
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),110W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 290 毫欧 @ 6.6A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
系列: HEXFET®
FET类型: P 沟道
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 13A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 66nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 860pF @ 25V
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 290 毫欧 @ 6.6A,10V
封装形式Package: D2PAK
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 150V
连续漏极电流ID: 13A
供应商器件封装: D2PAK
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs: 10V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 25V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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