型号: IRF6655TR1
功能描述: International Rectifier/分立半导体产品
制造商: International Rectifier
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： HEXFET®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4.2A（Ta），19A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 62 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.8V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 11.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 530pF @ 25V
功率 - 最大值： 2.2W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： DirectFET? 等容 SH
供应商器件封装： DIRECTFET? SH
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