型号: IRFD020
功能描述: Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD020, 2.4 A, Vds=50 V, 4引脚 HVMDIP封装
制造商: Vishay
通道类型: N
最大连续漏极电流: 2.4 A
最大漏源电压: 50 V
最大漏源电阻值: 100 m0hms
最小栅阈值电压: 2V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: HVMDIP
安装类型: 通孔
晶体管配置: 单
引脚数目: 4
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 1 W
高度: 3.37mm
每片芯片元件数目: 1
尺寸: 5 x 6.29 x 3.37mm
最高工作温度: +150 °C
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 16 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 400 pF @ 25 V
典型关断延迟时间: 16 ns
典型接通延迟时间: 8.7 ns
最低工作温度: -55 °C
长度: 5mm
宽度: 6.29mm
无铅情况/RoHs: 否
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