型号: IRFD020
功能描述: Vishay Si N沟道 MOSFET IRFD020, 2.4 A, Vds=50 V, 4引脚 HVMDIP封装
制造商: Vishay
通道类型： N
最大连续漏极电流： 2.4 A
最大漏源电压： 50 V
最大漏源电阻值： 100 m0hms
最小栅阈值电压： 2V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： HVMDIP
安装类型： 通孔
晶体管配置： 单
引脚数目： 4
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 1 W
高度： 3.37mm
每片芯片元件数目： 1
尺寸： 5 x 6.29 x 3.37mm
最高工作温度： +150 °C
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 16 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 400 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 16 ns
典型接通延迟时间： 8.7 ns
最低工作温度： -55 °C
长度： 5mm
宽度： 6.29mm
无铅情况/RoHs： 否
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