型号: IRFD113
功能描述: Vishay Siliconix/分立半导体产品
制造商: Vishay Siliconix
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 800mA（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 800 毫欧 @ 800mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 200pF @ 25V
功率 - 最大值： 1W
安装类型： 通孔
封装/外壳： 4-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装： 4-HVMDIP
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：赵s
电话：18902449956
Q Q:
联系人：蔡
电话：13410511380
Q Q:
联系人：段小姐
电话：13538205717
Q Q:
