型号: ISS17EP06LM
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：300mA 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 34uA 漏源导通电阻：1.7Ω @ 300mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360W 类型：P沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 300mA
栅源极阈值电压: 2V @ 34uA
漏源导通电阻: 1.7Ω @ 300mA, 10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 360W
类型: P沟道
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