型号: IXFH50N85X
功能描述: MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 850 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 152 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 19 S
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 69 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
单位重量: 38 g
联系人:朱丽娜
电话:15989349634
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:杨先生
电话:13360063783
联系人:陈玲玲
电话:18126117392
联系人:李先生
电话:18822854608
联系人:刘先生,李小姐
电话:13510175077
联系人:杨先生
电话:13352985419
联系人:王小姐
电话:15773539469
联系人:王先生
电话:19868748525
联系人:李亨
电话:13148810005