型号: IXFN170N65X2
功能描述:
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 170 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 13 m0hms
最大栅阈值电压： 5V
最小栅阈值电压： 3.5V
最大栅源电压： ±30 V
封装类型： SOT227
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 4
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 1.17 kW
典型接通延迟时间： 60 ns
典型关断延迟时间： 133 ns
典型输入电容值@Vds： 27 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 434 @ 10 V nC
最高工作温度： +150 °C
高度： 9.6mm
系列： HiperFET
每片芯片元件数目： 1
宽度： 25.07mm
长度： 38.23mm
正向跨导： 90S
正向二极管电压： 1.4V
尺寸： 38.23 x 25.07 x 9.6mm
最低工作温度： -55 °C
无铅情况/RoHs： 否
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