型号: IXFN20N120
功能描述: MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 750 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 780 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.2 mm
系列: IXFN20N120
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.07 mm
商标: IXYS
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 45 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 75 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 30 g
联系人:蔡小姐
电话:18129819897
联系人:Alien
联系人:李先生
电话:17080955875
联系人:朱小姐
电话:13725570869
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:陈晓玲
电话:18126117392
联系人:余先生,张先生
电话:13826514222
联系人:石
电话:18575587271
联系人:吴先生
电话:13554918840
联系人:许强
电话:15989438418
Q Q: