型号:  IXFN20N120P

功能描述:  MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Chassis Mount

封装 / 箱体:  SOT-227-4

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  1.2 kV

Id-连续漏极电流:  20 A

Rds On-漏源导通电阻:  570 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  6.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  193 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  595 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  HiPerFET

封装:  Tube

高度:  12.22 mm

长度:  38.23 mm

系列:  IXFN20N120

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Polar Power MOSFET HiPerFET

宽度:  25.42 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  10 S

下降时间:  70 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  45 ns

工厂包装数量:  10

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  72 ns

典型接通延迟时间:  49 ns

单位重量:  30 g