型号: IXFN50N120SIC
功能描述: MOSFET N-CH
制造商: IXYS
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 20V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 50 毫欧 @ 40A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 100nC @ 20V
Vgs（最大值）: +20V，-5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1900pF @ 1000V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: -
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：马信潮
电话：15986802007
Q Q:
联系人：吴小姐
电话：13717123889
Q Q:
联系人：陈远红
电话：15999652886
Q Q:
