型号: IXFQ26N50P3
功能描述: IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ26N50P3, 26 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 26 A
最大漏源电压： 500 V
最大漏源电阻值： 240 m0hms
最大栅阈值电压： 5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-3P
安装类型： 通孔
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 500 W
最低工作温度： -55 °C
长度： 15.8mm
每片芯片元件数目： 1
高度： 20.3mm
最高工作温度： +150 °C
系列： HiperFET, Polar3
宽度： 4.9mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 42 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 2220 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 38 ns
典型接通延迟时间： 21 ns
尺寸： 15.8 x 4.9 x 20.3mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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