型号: IXFR55N50F
功能描述: HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
制造商: IXYS
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 45 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.09 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: ISOPLUS 247
封装: Tube
下降时间: 9.6 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 400 W
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 45 ns
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