IXFT30N50Q3规格参数_IXFT30N50Q3全国代理商/分销商

型号: IXFT30N50Q3
功能描述: IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFT30N50Q3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-268封装
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 30 A
最大漏源电压： 500 V
最大漏源电阻值： 200 m0hms
最大栅阈值电压： 6.5V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： TO-268
安装类型：表面贴装
晶体管配置：单
引脚数目： 3
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
最大功率耗散： 690 W
系列： HiperFET, Q3-Class
尺寸： 16.05 x 14 x 5.1mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 62 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 3200 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 26 ns
典型接通延迟时间： 14 ns
宽度： 14mm
高度： 5.1mm
每片芯片元件数目： 1
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
长度： 16.05mm
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs