型号: IXFT52N30Q TRL
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 300V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 150nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 5300pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 360W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 60 毫欧 @ 26A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-268（IXFT）
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：邓升
电话：15818772409
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13928486396
Q Q:
联系人：李木子
电话：15361817785
Q Q:
