型号: IXFT60N20F
功能描述: MOSFET
制造商: IXYS
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 60 A
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Rds On-漏源导通电阻: 38 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 315 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-268-2
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 7 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：苏先生，李小姐
电话：18938644687
Q Q:
联系人：朱芳仪
电话：18123863116
Q Q:
联系人：唐小姐，朱先生
电话：18802682975
Q Q:
联系人：詹嘉捷
电话：13286466676
Q Q:
联系人：欧维明
电话：13810607781
Q Q:
联系人：李师哲
电话：13048971103
Q Q:
联系人：杨群
电话：13560721605
Q Q:
